本发明涉及光伏电池领域,特指一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法。CdS薄膜制备方法包括:先热蒸发法制得预制薄层CdS基片(CdS(Eva)),再在此基础上通过水浴法制得CdS薄膜(CdS(CBD))。先热蒸发法能够将高纯度的CdS粉料均匀地附着在导电基底之上,为后续的化学水浴法制备CdS提供微小晶核的附着点并促进稳定结晶。基于该薄膜获得的Sb2(S,Se)3太阳能电池,结构为Glass/FTO/CdS(Eva)/CdS(CBD)/Sb2(S,Se)3/Spiro/Au,PN结电子 空穴对的传输能力更强,光电转换性能更优。

本发明涉及光伏电池领域,特指一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法。CdS薄膜制备方法包括:先热蒸发法制得预制薄层CdS基片(CdS(Eva)),再在此基础上通过水浴法制得CdS薄膜(CdS(CBD))。先热蒸发法能够将高纯度的CdS粉料均匀地附着在导电基底之上,为后续的化学水浴法制备CdS提供微小晶核的附着点并促进稳定结晶。基于该薄膜获得的Sb2(S,Se)3太阳能电池,结构为Glass/FTO/CdS(Eva)/CdS(CBD)/Sb2(S,Se)3/Spiro/Au,PN结电子 空穴对的传输能力更强,光电转换性能更优。