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本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片,直径1.3cm,厚度2mm,然后在氮气保护下800<sup>o</sup>C或1000<sup>o</sup>C度烧结,待温度降为室温取出,放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内,以充满铜坩埚的三分之二为宜,在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜,制备ZnS薄膜,通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜,该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点,适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。
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