江苏省技术产权交易市场

一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元
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商品编号
53328164394117178567
商品权属
自有
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关键词
SPAD器件 共用深n阱结构 单光子雪崩二极管 填充系数 探测器阵列单元

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王恒鹭
电话 158xxxx9732
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本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元,该阵列单元是共用深n阱结构,即:将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里,共用阴极n+接触孔,每个SPAD器件采用正八边形结构,并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数,增加芯片的利用率,为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。
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