本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元,该阵列单元是共用深n阱结构,即:将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里,共用阴极n+接触孔,每个SPAD器件采用正八边形结构,并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数,增加芯片的利用率,为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。
本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元,该阵列单元是共用深n阱结构,即:将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里,共用阴极n+接触孔,每个SPAD器件采用正八边形结构,并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数,增加芯片的利用率,为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。
商品类型 | 专利 | 申请号 | CN201510096762.0 | IPC分类号 |
H01L27/144/H01L31/107/H01L31/0352/H01L31/0224
H01L27/144/H01L31/107/H01L31/0352/H01L31/0224 |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 | |