江苏省技术产权交易市场

一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
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商品编号
FP202122910448315137
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
¥ 30,000
关键词
GeSb基 化学组成 掺氮 相变存储器 磁控溅射 纳米薄膜材料

店铺信息

江苏理工学院
电话 139xxxx0112
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商品评价
本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法,材料的化学组成通式为(Ge10Sb90)xN1?x,其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量,氮元素的含量能够得到精确的控制。
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