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本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法,材料的化学组成通式为(Ge10Sb90)xN1?x,其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量,氮元素的含量能够得到精确的控制。
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